Damage profiles and annealing of Si(B) implants - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1976

Damage profiles and annealing of Si(B) implants

J.J. Grob
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
R. Prisslinger
  • Fonction : Auteur
S. Kalbitzer
  • Fonction : Auteur

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019492

Soumis le : jeudi 31 mai 2001-14:57:12

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019492 , version 1 (31-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019492 , version 1

Citer

J.J. Grob, P. Siffert, R. Prisslinger, S. Kalbitzer. Damage profiles and annealing of Si(B) implants. International Conference On Applications Of Ion Beams To Materials, Sep 1975, Warwick, United Kingdom. pp.24-30. ⟨in2p3-00019492⟩

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