Cryogenic SiGe Hetero-Junction Bipolar Transistors from Standard Technologies for Low Noise FLL - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Cryogenic SiGe Hetero-Junction Bipolar Transistors from Standard Technologies for Low Noise FLL

D. Prêle
  • Fonction : Auteur
G. Sou
  • Fonction : Auteur
G. Klisnick
M. Redon
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E. Bréelle
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AstroParticule et Cosmologie
M. Piat
  • Fonction : Auteur
AstroParticule et Cosmologie
F. Voisin
  • Fonction : Auteur
AstroParticule et Cosmologie

Domaines

Cosmologie et astrophysique extra-galactique [astro-ph.CO] Astrophysique [astro-ph] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00196815

Soumis le : jeudi 13 décembre 2007-15:42:14

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-16:18:55

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00196815 , version 1 (13-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00196815 , version 1

Citer

D. Prêle, G. Sou, G. Klisnick, M. Redon, E. Bréelle, et al.. Cryogenic SiGe Hetero-Junction Bipolar Transistors from Standard Technologies for Low Noise FLL. 13th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, ICECS-2006, Dec 2006, Nice, France. pp.525-528. ⟨in2p3-00196815⟩

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