Effects of irradiation of energetic heavy ions on digital pulse shape analysis with silicon detectors - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Effects of irradiation of energetic heavy ions on digital pulse shape analysis with silicon detectors

S. Barlini
  • Fonction : Auteur
S. Carboni
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M. Bini
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G. Casini
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A. Olmi
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G. Pasquali
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G. Poggi
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A.A. Stefanini
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E. Scarlini
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A. Atelani
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G. Baiocco
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R. Berjillos
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Eric Bonnet
M. Bruno
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J.A. Dueñas
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F. Gramegna
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A. Kordyasz
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T. Kozik
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V.L. Kravchuk
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O. Lopez
T. Marchi
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L. Morelli
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S. Piantelli
E. Rosato
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E. Vient
M. Vigilante
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Résumé

Detected energy, charge rise-time and pulse shape identfication capabilities of nTD silicon detectors under prolonged irradiation by energetic heavy ions have been studied. Sizeable effects on the amplitude and the risetime of the charge signal have been found for detectors irradiated with large fluences of stopped heavy ions, while much weaker effects were observed for punchingthrough ions. The robustness of ion identification based on digital pulse shape techniques has been evaluated.
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00855243 , version 1 (03-09-2013)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00855243 , version 1
  • CERN : 1537365

Citer

S. Barlini, S. Carboni, N. Le Neindre, M. Bini, B. Borderie, et al.. Effects of irradiation of energetic heavy ions on digital pulse shape analysis with silicon detectors. The 13th International Conference on Nuclear Reaction Mechanisms, 2012, Varenna, Italy. pp.415-419. ⟨in2p3-00855243⟩
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