Radiation Damage Tests at 1 Grad Dose on 65 nm CMOS Transistors - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Radiation Damage Tests at 1 Grad Dose on 65 nm CMOS Transistors

M. Barbero
  • Fonction : Auteur
Centre de Physique des Particules de Marseille

Domaines

Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00996607

Soumis le : lundi 26 mai 2014-16:19:31

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:12

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00996607 , version 1 (26-05-2014)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00996607 , version 1

Citer

M. Barbero. Radiation Damage Tests at 1 Grad Dose on 65 nm CMOS Transistors. Front End Electronics (FEE 2014), May 2014, Chicago, United States. ⟨in2p3-00996607⟩

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