Athermal crystallization induced by electronic excitations in ion-irradiated silicon carbide - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2006
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Dates et versions

in2p3-00127841 , version 1 (30-01-2007)

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Citer

A. Benyagoub, A. Audren, L. Thomé, F. Garrido. Athermal crystallization induced by electronic excitations in ion-irradiated silicon carbide. Applied Physics Letters, 2006, 89, pp.241914. ⟨10.1063/1.2405410⟩. ⟨in2p3-00127841⟩
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