Bulk and surface structural properties of Si$_{1-x-y}$Ge$_x$C$_y$ layers processed on Si(001) by pulsed laser induced epitaxy - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 1996

Bulk and surface structural properties of Si$_{1-x-y}$Ge$_x$C$_y$ layers processed on Si(001) by pulsed laser induced epitaxy

C. Guedj
  • Fonction : Auteur
J. Boulmer
  • Fonction : Auteur
D. Bouchier
  • Fonction : Auteur
C. Clerc
  • Fonction : Auteur
CSNSM PS1
G. Calvarin
  • Fonction : Auteur
C. Godet
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F. Houze
CV
D. Mencaraglia
CV

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00000499

Soumis le : jeudi 18 février 1999-10:40:53

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:12

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00000499 , version 1 (18-02-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00000499 , version 1

Citer

C. Guedj, J. Boulmer, D. Bouchier, C. Clerc, G. Calvarin, et al.. Bulk and surface structural properties of Si$_{1-x-y}$Ge$_x$C$_y$ layers processed on Si(001) by pulsed laser induced epitaxy. Applied Surface Science, 1996, 102, pp.28-32. ⟨in2p3-00000499⟩

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